Libri UniversitariHigh Speed Electron Devices – prof. Fabrizio Bonani
Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering) · Politecnico di Torino · 1º anno · annuale · 6 CFU · canale unico
Libri del canale
High Speed Electron Devices 6 CFU
Il docente indica 3 testi · da studiare tutti
G. Ghione Semiconductor Device for High-Speed Optoelectronics, CambridgeVerificato sulla scheda ufficiale il 02/10/2026
Sze – Physics of semiconductor devicesVerificato sulla scheda ufficiale il 02/10/2026
Ghione – Dispositivi per la MicroelettronicaVerificato sulla scheda ufficiale il 02/10/2026
Bacheca del docente: cosa indica di studiare
- Lectures will exploit slides made available in advance to the student and projected in class with the projection system. All the produced material will be made available on the course website as pdf files.
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Testi d'esame di High Speed Electron Devices del prof. Fabrizio Bonani, canale unico, corso di laurea in Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering) (Laurea magistrale (LM-29)), Politecnico di Torino, 1º anno · annuale · 6 CFU, a.a. 2026/2027. Libri adottati: G. Ghione Semiconductor Device for High-Speed Optoelectronics, Cambridge; Sze – Physics of semiconductor devices; Ghione – Dispositivi per la Microelettronica.
Altre materie del prof. Bonani
- Dispositivi Elettronici · Ingegneria Fisica · 2º anno · annuale · 6 CFU