Libri UniversitariG. Ghione Semiconductor Device for High-Speed Optoelectronics, Cambridge
Libro adottato a Politecnico di Torino, a.a. 2026/2027 · 1 canale
«G. Ghione Semiconductor Device for High-Speed Optoelectronics, Cambridge» è adottato per High Speed Electron Devices dal prof. Fabrizio Bonani (Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering) – Politecnico di Torino).
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Come lo indica il docente: G. Ghione Semiconductor Device for High-Speed Optoelectronics, Cambridge University Press (2009)
Chi lo adotta
- High Speed Electron Devices – Prof. Fabrizio Bonani (canale unico)Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering) · Laurea magistrale (LM-29) · 1º anno · annuale · 6 CFU
Programma e testi di ogni canale
High Speed Electron Devices – Prof. Fabrizio Bonani Canale unico
Corso di laurea: Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering) · Laurea magistrale (LM-29) · 1º anno · annuale · 6 CFU
Il docente indica 3 testi · da studiare tutti
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Bacheca del docente: cosa indica di studiare
- Lectures will exploit slides made available in advance to the student and projected in class with the projection system. All the produced material will be made available on the course website as pdf files.
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