Sze – Physics of semiconductor devices

Name: Sze – Physics of semiconductor devices
Author: Sze

Libro adottato a Politecnico di Torino, a.a. 2026/2027 · 2 canali

«Sze – Physics of semiconductor devices» è adottato per High Speed Electron Devices dal prof. Fabrizio Bonani (Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering) – Politecnico di Torino); per Solid State Physics/Electronic Devices dal prof. Federica Cappelluti (Nanotechnologies for ICTs – Politecnico di Torino).

Sze – Physics of semiconductor devicesCerca su Amazon ›

Come lo indica il docente: S.M. Sze, K.K. Ng, Physics of semiconductor devices, Wiley (2007) · S.M. Sze, K.K. Ng, Physics of semiconductor devices, Wiley, 2007

Chi lo adotta

High Speed Electron Devices – Prof. Fabrizio Bonani (canale unico)Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering) · Laurea magistrale (LM-29) · 1º anno · annuale · 6 CFU
Solid State Physics/Electronic Devices – Prof. Federica Cappelluti (canale unico)Nanotechnologies for ICTs · Laurea magistrale (LM-29) · 1º anno · 1º semestre · 12 CFU

Programma e testi di ogni canale

High Speed Electron Devices – Prof. Fabrizio Bonani Canale unico

Corso di laurea: Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering) · Laurea magistrale (LM-29) · 1º anno · annuale · 6 CFU

Politecnico di Torino · Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni · 6 CFU · apri nel catalogo · Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering) · 1º anno ›

Il docente indica 3 testi · da studiare tutti

Suggested references are

G. Ghione Semiconductor Device for High-Speed Optoelectronics, Cambridge Cerca su Amazon ›Verificato sulla scheda ufficiale il 02/10/2026

Sze – Physics of semiconductor devicesquesto libroCerca su Amazon ›Verificato sulla scheda ufficiale il 02/10/2026

Ghione – Dispositivi per la Microelettronica Cerca su Amazon ›Verificato sulla scheda ufficiale il 02/10/2026

Bacheca del docente: cosa indica di studiare

Lectures will exploit slides made available in advance to the student and projected in class with the projection system. All the produced material will be made available on the course website as pdf files.

Argomenti del programma: - Review of semiconductor theory (0.5 cr) - Metal-semiconductor junction and MESFET transistor (1.5 cr) - Heterostructures: technology and band diagram (0.5 cr) - Heterostructure FET: HFET, HEMT (1.5 cr) - Heterostructure bipolar transistor HBT (1 cr) - Optoelectronic and power electronics devices (1 cr)

Apri la scheda ufficiale ›

Aiutaci a tenerci aggiornati

Il prof ha indicato altri libri, pagine o modifiche? Scrivicelo.

Solid State Physics/Electronic Devices – Prof. Federica Cappelluti Canale unico

Corso di laurea: Nanotechnologies for ICTs · Laurea magistrale (LM-29) · 1º anno · 1º semestre · 12 CFU

Politecnico di Torino · Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni · 12 CFU · apri nel catalogo · Nanotechnologies for ICTs · 1º anno · 1º semestre ›

Il docente indica 4 testi · da studiare tutti

For the basics topics

Bonani – Electronic Devices Cerca su Amazon ›Verificato sulla scheda ufficiale il 02/10/2026

For more advanced topics

Nelson – Physics of solar cells Cerca su Amazon ›Verificato sulla scheda ufficiale il 02/10/2026

Sze – Physics of semiconductor devicesquesto libroCerca su Amazon ›Da studiare: P. Atkins "Molecular Quantum Mechanics" (Cambridge Univ. PressVerificato sulla scheda ufficiale il 02/10/2026

Luth – Solid Surfaces, Interfaces and Thin Films Cerca su Amazon ›Verificato sulla scheda ufficiale il 02/10/2026