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Vasileska – Computational Electronics

Libro adottato a Politecnico di Torino, a.a. 2026/2027 · 2 canali

«Vasileska – Computational Electronics» è adottato per Cad Of Semiconductor Devices dal prof. Michele Goano (Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering), Nanotechnologies for ICTs – Politecnico di Torino).

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Come lo indica il docente: D. Vasileska, S. M. Goodnick, and G. Klimeck, "Computational Electronics. Semiclassical and Quantum Device Modeling and Simulation", CRC Press 2010

Chi lo adotta

Programma e testi di ogni canale

Cad Of Semiconductor Devices – Prof. Michele Goano Canale unico

Corso di laurea: Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering) · Laurea magistrale (LM-29) · 2º anno · 1º semestre · Devices and Technologies for Integrated Electronics and Optoelectronics · 6 CFU

Politecnico di Torino · Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni · 6 CFU · apri nel catalogo · Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering) · 2º anno · 1º semestre ›

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Vandenberghe – Advanced Physics of Electron Transport in Semiconductors…Cerca su Amazon ›Verificato sulla scheda ufficiale il 02/10/2026
Bacheca del docente: cosa indica di studiare

Argomenti del programma: 1. Semiclassical models for carrier transport in semiconductors: from the Boltzmann transport equation (BTE) to the hydrodynamic, energy-transport and drift-diffusion models. Numerical issues and fundamental limitations in the simulation of (opto)electronic devices with semiclassical models based on systems of partial differential equations (1 ECTS) 2.

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Cad Of Semiconductor Devices – Prof. Michele Goano Canale unico

Corso di laurea: Nanotechnologies for ICTs · Laurea magistrale (LM-29) · 2º anno · 1º semestre · 6 CFU

Politecnico di Torino · Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni · 6 CFU · apri nel catalogo · Nanotechnologies for ICTs · 2º anno · 1º semestre ›

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Bacheca del docente: cosa indica di studiare

Argomenti del programma: 1. Semiclassical models for carrier transport in semiconductors: from the Boltzmann transport equation (BTE) to the hydrodynamic, energy-transport and drift-diffusion models. Numerical issues and fundamental limitations in the simulation of (opto)electronic devices with semiclassical models based on systems of partial differential equations (1 ECTS) 2.

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