Prof. Andrea Leonardo Lacaita

Argomenti del programma: Background on transistors’ operation: Review of basic MOSFET operation: the charge sheet model, ohmic and saturation regime. Channel modulation and finite output resistance. Modulation voltage and dependence on channel length. Resistive coupling between source and drain terminals. Subthreshold operation. Diffusion regime. Limit to the maximum voltage gain. Moderate inversion. Inversion coefficient. EKV model.

Argomenti del programma: Elementi di fisica dei semiconduttori : La microelettronica e la tecnologia planare. Conduttori e semiconduttori. Modello ad orbitale di legame. La generazione termica e la conduzione intrinseca, la lacuna, la legge d'azione di massa. Il drogaggio ed i droganti nel modello ad orbitali di legame. Maggioritari e minoritari.